product iamge

Конструирование заданных профилей распределения примеси в полупроводниках методом ионной имплантации

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Download
Search on Amazon

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2009. - 24 с.
Кратко изложены возможности конструирования различных профилей распределения примеси методом имплантационного полиэнергетического легирования. Представлено описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники различных примесей. Описана методика выполнения лабораторной работы.

Author(s): Григорьев Ф.И., Чернов А.А.

Language: Russian
Commentary: 922184
Tags: Приборостроение;Полупроводниковые приборы