М.: Информэлектро. Серия
05. Силовая преобразовательная техника. 1988. Вып. 18, С. 1– 44.
Освещается состояние разработок и производства силовых полупроводниковых модулей за рубежом. Рассматриваются технологические особенности изготовления модулей в зависимости от величины максимально допустимого тока и применяемых полупроводниковых структур. Приводятся характеристики и параметры диодных и диодно-тиристорных модулей, тиристорных модулей с обратной проводимостью, модулей на асимметричных тиристорах, на запираемых тиристорах, на быстровосстанавливающихся диодах, а также транзисторных модулей различных зарубежных фирм. Обзор предназначен для разработчиков, изготовителей и потребителей силовых модулей. В.Б. Зильберштейн. С.В. Машнин, В.А. Потапчук, В.Б. Потапчук, А.И. Фалин.Содержание:
Введение.
Основные термины и буквенные обозначения.
Общие сведения о силовых полупроводниковых модулях.
Основные параметры керамических подложек.
Силовые модули, выпускаемые ведущими зарубежными фирмами, и их основные характеристики.
Выводы.
Список литературы.
