Тула: Институт проблем управления РАН, 2001, 188 с.; илл. ISBN 5-8125-0098-3.В книге рассмотрены физические основы и вопросы практической реализации многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов: запоминающих элементов, датчиков магнитного поля, гальванических развязок и спиновых транзисторов. Большое внимание уделено принципам действия и конструкциям элементов, приведены их теоретические характеристики. Проанализировано состояние дел в мире с разработкой и выпуском подобных элементов. Книга рассчитана на научных работников, инженеров и аспирантов, работающих в области микро- и наноэлектроники, физики магнитных и полупроводниковых явлений.Введение.
Физические основы работы многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов.
Виды магниторезистивного эффекта.
Параметры магниторезистивных структур.
Анизотропные структуры.
Спин-вентильные структуры.
Спин-туннельные переходы.
Методы анализа магниторезистивных элементов.
Метод определения и анализа статических характеристик элементов.
Метод определения и анализа динамических характеристик элементов.
Технологические методы создания элементов.
Экспериментальное исследование элементов.
Магниторезистивные запоминающие элементы.
Способы управления и области работоспособности.
Динамические характеристики запоминающих элементов.
Запоминающие устройства с произвольной выборкой.
Тонкопленочные магниторезистивные датчики магнитного поля.
Однослойные датчики магнитного поля.
Многослойные датчики магнитного поля.
Особенности электронного обрамления.
Приборы с магниторезистивными датчиками.
Новые виды многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов.
Логические элементы.
Гальванические развязки.
Спиновые транзисторы.
Оборудование для измерения параметров ферромагнитных тонких пленок.
Список литературы.
