Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1988, 99 с.В пособии с помощью теории возмущений определяются вероятность и время релаксации импульса для основных механизмов рассеяния электронов и дырок в полупроводниках: на акустических, пьезоэлектрических, деформационных и полярных оптических колебаниях решетки, при примесном, междолинном и электрон-электронном рассеянии и др. При этом учитывается экранирование дальнодействующего потенциала. Проводится сравнение с экспериментальными результатами.
Предназначено для студентов специальностей "Физика твердого тела", "Физическая электроника", "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники", "Микроэлектронные и полупроводниковые приборы", изучающих физику твердого тела, полупроводников, металлов, физические основы полупроводниковых приборов.Оглавление:
Интеграл столкновений и понятие о времени релаксации импульса электронов
Интеграл столкновений
Время релаксации импульса
Условие применимости кинетического уравнения Больцмана
Рассеяние носителей заряда на длинноволновых акустических колебаниях решетки
Вероятность рассеяния в простой модели
Время релаксации в простой модели
Рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях решетки в многодолинной модели
Рассеяние дырок на длинноволновых акустических колебаниях решетки
Рассеяние носителей заряда пьезоэлектрическими колебаниями решетки
Рассеяние носителей заряда длинноволновыми оптическими колебаниями решетки в гомеополярных полупроводниках
Матричный элемент
Время релаксации электронов
Время релаксации дырок
Междолинное рассеяние носителей заряда колебаниями решетки
Рассеяние между эквивалентными минимумами
Рассеяние между неэквивалентными минимумами
Рассеяние носителей заряда полярными длинноволновыми оптическими колебаниями решетки
Вероятность рассеяния
Время релаксации при высоких энергиях электронов
Время релаксации при низких температурах решетки и энергиях носителей заряда
Частота столкновений
Понятие о поляроне слабой связи
Рассеяние носителей заряда ионизированными примесями
Экранирование поля заряженного примесного центра свободными носителями заряда (статическое экранирование)
Вероятность рассеяния и время релаксации
Анизотропное примесное рассеяние электронов в многодолинных полупроводниках
Примесное рассеяние дырок
Междолинное примесное рассеяние
Рассеяние на нейтральных примесях
Электрон-электронное рассеяние
Рассеяние на дислокациях
Экранирование колебаний решетки
Экранирование пьезоэлектрических колебаний решетки
Экранирование полярных оптических колебаний
Понятие о динамическом экранировании
Влияние “непараболичности” на рассеяние носителей заряда
Подвижность носителей заряда
Время релаксации при смешанном механизме рассеяния
Экспериментальные данные для подвижности и времени релаксации импульса
Матричный элемент для ДА-рассеяния дырок
Матричный элемент для ДО-рассеяния электронов
Матричный элемент для ДО-рассеяния дырок
Время релаксации при рассеянии электронов на ПО-фононах при низких температурах
Междолинное примесное рассеяние
Вероятность рассеяния электронов о учетом
непараболичности
Интеграл столкновений для е-е -рассеяния
