Сборник. - М.: Наука, 1985. - 264 с.Сборник "Легированные полупроводниковые материалы" содержит работы, выполненные в Институте металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, в институтах Академии наук и АН союзных республик, а также в институтах ряда министерств и высших учебных заведений.
Работы посвящены изучению физико-химических основ легирования полупроводниковых материалов и, в частности, рассмотрению следующих вопросов: примесные атомы и уровни, создаваемые ими; диаграммы состояния полупроводник-легирующая добавка; коэффициенты распределения; диффузия легирующих компонентов; макро- и микросегрегация легирующих компонентов; взаимодействие атомов легирующих компонентов с несовершенствами решетки в полупроводниках; строение и распад твердых растворов полупроводник-легирующая добавка.
Основными объектами исследования являлись Ge, Si, полупроводниковые соединения АIIIВV, АIVВVI, АIVВIV, а также твердые растворы на их основе. Исследования выполнены на монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводниковых материалов.
Сборник представляет интерес для широкого круга специалистов, занимающихся исследованием полупроводниковых материалов, их получением и применением в приборах, работающих в области физики, химии и технологии полупроводников.Содержание
I Примесные атомы и уровни, создаваемые ими
II Диаграммы состояния полупроводник-легирующая добавка. Коэффициенты распределения, растворимость легирующих компонентов
III Диффузия легирующих компонентов
IV Макро- и микросегрегация легирующих компонентов
V Взаимодействие атомов легирующих компонентов друг с другом и с несовершенствами кристаллической решетки
VI Строение и распад твердых растворов полупроводник-легирующая добавка
