М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с.
Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы); рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах.Оглавление
Введение
Влияние радиационного воздействия, создающего необратимые структурные дефекты, на коэффициент передачи тока транзистора
Влияние радиации на статический коэффициент передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭ
Влияние радиации на дифференциальный коэффициент передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭ
Радиационные эффекты в биполярных транзисторах при больших плотностях тока
Радиационная стойкость транзисторов, работающих в ключевом режиме
Влияние радиации на обратный ток коллектора
Радиационные эффекты в биполярных транзисторах, обусловленные ядерными реакциями
Радиационные переходные процессы в биполярных транзисторах
Быстрый отжиг
Классификация радиационных дефектов в биполярных транзисторах
Библиографический список
