М.: Металлургия, 1985, 160 с. Ил. 45, Табл. 6, Бибпиогр. список: 272 назв.
Рассмотрены общие закономерности дефектообразования в эпитаксиальных композициях полупроводников. Проанализированы природа и закономерности возникновения дефектов в гомо- и гетероэпитаксиальных системах. Обсуждены пути повышения совершенства структуры эпитаксиальных композиций, в том числе перспектива создания изопериодных гетерокомпозиций на основе многокомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений. На примере лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов продемонстрировано влияние дефектов на эксплуатационные характеристики приборов.
Книга рассчитана на научных и инженерно-технических работников, занятых в области технологии и физики полупроводниковых материалов и приборов, а также на аспирантов и студентов вузов старших курсов соответствующих специальностей.
