Статья. Опубликована в Материалы XXXIX научно-технической конференции по итогам работы профессорско-преподавательского состава СевКавГТУ за 2009 год. Том
1. Естественные и точные науки. Технические и прикладные науки. Ставрополь: СевКавГТУ, 2010. 2с.
Прямое осаждение пленок непосредственно из пучков ионов является идеальным процессом, поскольку позволяет управлять энергией частиц осаждаемого материала [1,2]. Однако для реализации этого процесса требуется специальное оборудование в виде автономного источника ионов и его блока питания. Кроме того, для напыления пленок аморфного углерода (a-C) ионно-плазменным методом, может потребоваться проведение НИОКР, сложных пуско-наладочных работ. В связи с этим актуален вопрос о проведении исследований, которые будут полезны при составлении технологического процесса ионно-плазменного осаждения a-C пленок.
Цель работы: установить основные особенности ионно-плазменного осаждения пленок, выявить определяющие параметры метода и установить их влияние на характеристики синтезируемых пленок.
