И. П. Исаев, Ю. М. Иньков, М. А. Маричев. — М.: Энергоиздат, 1983. — 96 с.На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров элементов силовых цепей.
Для научных работников и инженеров, занимающихся разработкой силовых полупроводниковых преобразователей электроэнергии.
Метка: Силовая Электроника
