Учебное пособие. — Самара: Самарский государственный аэрокосмический университет, 2008. — 84 с. — ISBN 978-5-7883-0697-1.
Изложены теоретические основы процессов, используемых в исследовании полупроводниковых материалов и их технологии и базирующихся на гетерогенном равновесии системы конденсированная фаза - газ. Рассмотрены особенности тензиметрических методов исследования материалов электронной техники. Описаны физико-химические основы исследования веществ и полупроводниковых материалов на их основе.
Предназначено для студентов специальности 210201 - Проектирование и технология радиоэлектронных средств.
Содержание
Введение
Теоретические основы процессов, используемых в исследовании полупроводников материалов и их технологии Роль процессов испарения и конденсации в технологии микроэлектроники
Классификация процессов испарения
Уравнение Клаузиуса-Клапейрона
Общий подход к равновесию системы конденсированная фаза-газ
Различные формы уравнений температурной зависимости давления насыщенного пара и константы равновесия
Вычисление термодинамических величин по данным равновесия
Тензиметрические методы исследования полупроводниковых материаловСтатические методы
Квазистатические методы
Динамические методы
Метод электродвижущих сил
Термохимические методы исследования полупроводников и диэлектриковОпределение стандартных теплот образования
Определение теплоемкости
Масс-спектрометрический метод
Газохроматографический метод
Список литературы