Перестройка твёрдых тел на границах раздела фаз

Монография. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. — 230 с.В монографии приводятся и обсуждаются результаты исследований поверхности многокомпонентных полупроводниковых соединений типа А^IIIВ^V, A^IIB^VI и A^IVB^VI в связи с условиями их обработки. Рассматривается физико-химия процессов формирования, состав и строение границ раздела фаз поверхностный слой — водный раствор, объём кристалла полупроводника — поверхностный слой при обработке поверхности в растворах, а также при контакте с воздухом. Приводятся некоторые результаты исследований по селективному растворению сплавов, по низкотемпературной обработке поверхности A^IIIB^V в газовой среде и формированию границы раздела полупроводник — оксид и полупроводник — металл.
В данной книге рассматриваются преимущественно физико-химические явления, происходящие на границах раздела фаз в процессе формирования поверхности полупроводниковых материалов типа А^IIIВ^V, A^IIB^VI, A^IVB^VI, A^IIB^IVC₂^V. Даются модельные представления о механизме образования, строении и составе границ раздела фаз, а также приводятся литературные данные по условий обработки поверхности и её составу. Для описания реакций и окислительно-восстановительного состояния вещества на границах раздела фаз при обработке полупроводников в водной среде используются диаграммы Пурбэ, но в отличие от ряда работ при оценке состояния поверхности учитывается условие неравновесности процессов. Полученные результаты приводят к выводу о многослойности поверхности. Предлагается подход к общему описанию перестройки в поверхностном и приповерхностном слоях, делается предположение об их возможном составе и строении. Обсуждается влияние кислорода и паров воды на состояние поверхности.
Для студентов и специалистов, занимающихся изучением и применением процессов обработки и анализа поверхности многокомпонентных полупроводниковых материалов, формированием границ раздела фаз.ПредисловиеИсследование физико-химического состояния поверхности полупроводников
Состояние поверхности полупроводников в связи с условиями обработки
Исследование поверхности полупроводников методами вольтамперометрии
Кислотно-основные свойства поверхностиФизико-химия процессов формирования границ раздела фаз
Граница раздела поверхностный слой полупроводника—водный раствор
Граница раздела объём кристалла—поверхностный слой
Формирование границы раздела полупроводник—оксид
Формирование границы раздела полупроводник—металлЗаключение
Литература