Учебное пособие. - М.: Институт проблем управления РАН, 1999, 63 с.Рассматриваются запоминающие элементы с произвольной выборкой и датчики магнитногo поля на основе тонкопленочных многослойных структур с анизотропным, спин-вентильным и спин-туннельным магниторезистивными эффектами. Проведен анализ способов управления и областей работоспособности, предложены новые конструкции запоминающих элементов с динамическим и статическим считыванием, способы управления ими.Предисловие.
Список сокращений.
Введение.
Обсуждаемые вопросы.
Тонкопленочные многослойные магниторезистивные элементы.
Запоминающие элементы на основе анизотропного МРЭ.
Запоминающие элементы на основе спин-вентильного и спин-туннельного МРЭ.
Магниторезистивные преобразователи магнитного поля.
Литература.
