В книге изложены основные принципы и методы измерения полупроводниковых приборов, дана оценка погрешностей измерения параметров. Описаны методы измерения статических параметров, параметров двухполюсника и четырехполюсника с помощью малого сигнала, импульсных параметров, шумовых и тепловых параметров, параметров высокочастотных полупроводниковых приборов и др. Приведены особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования.
Author(s): Аронов В.Л., Федотов Я.А.
Publisher: Высшая школа
Year: 1975
Language: Russian
Tags: Приборостроение;Полупроводниковые приборы;
Предисловие... 3
Введение... 4
Глава I Основные принципы и методы измерения электрических параметров полупроводниковых приборов... 11
§ 1.1 Метод замещения... 11
§ 1.2. Генератор тока я генератор напряжения в технике измерения полупроводниковых приборов... 16
§ 1.3. Мостовые методы... 24
§ 1.4. Методы измерения параметров, представляющих собой отрезки времени... 26
§ 1.5. Методы, основанные на преобразования результатов измерения в цифровой код... 30
Глава II. Оценки погрешности измерения параметров полупроводниковых приборов... 33
§ 2.1. Классификация погрешностей измерения... 34
§ 2.2. Количественное представление погрешности измерения ... 37
§ 2.3. Суммирование частных погрешностей измерения... 40
§ 2.4. Пример оценки погрешности измерительной установки... 43
Глаза III. Измерение статических параметров полупроводниковых приборов ... 55
§ 3.1. Статические характеристики... 55
§ 3.2. Статические параметры диодов и транзисторов... 63
§ 3.3. Измерения статических параметров диодов и транзисторов... 68
§ 3 4. Измерение малых обратных токов... 77
§ 3.5. Измерения статических характеристик полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением и с «разрывными» характеристиками ... 81
Глава IV. Измерение параметров эквивалентных двухполюсника в четырехполюсника с помощью малого сигнала... 89
§ 4.1. Малосигнальные параметры полупроводниковых приборов на низких частотах ... 90
§ 4.2. Методы измерения параметров на низких частотах... 97
§ 4.3. Измерение малосигнальных параметров полупроводниковых приборов на высоких частотах... 104
§ 4.4. Измерение параметров на сверхвысоких частотах...113
Глава V. Измерение параметров эквивалентных схем полупроводниковых приборов ...123
§ 5.1. Измерение емкостей полупроводниковых приборов... 125
§ 5.2. Измерение последовательных сопротивлений диодов... 134
§ 5.3. Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора ...144
§ 5.4. Измерение граничной частоты транзисторов... 153
§ 5.5. Измерение базового сопротивления транзисторов... 163
§ 5.6. Измерение индуктивностей выводов полупроводниковых приборов... 169
§ 5.7. Измерение параметров эквивалентных схем полевых транзисторов ...173
§ 5.8. Измерение параметров эквивалентной схемы туннельных диодов ...177
Глава VI. Измерение импульсных параметров полупроводниковых приборов ...179
§ 6.1. Импульсные параметры полупроводниковых диодов...181
§ 6.2. Методы измерения импульсных параметров полупроводниковых диодов...185
§ 6.3. Импульсные параметры транзисторов...193
§ 6.4. Методы измерения импульсных параметров транзисторов ...196
§ 6.5. Измерение импульсных параметров триодных тиристоров ...204
Глава VII. Исследования и измерение шумовых параметров полупроводниковых приборов...210
§ 7.1. Шумовые параметры двухполюсника и четырехполюсника ... 211
§ 7.2. Измерение шумовой температуры двухполюсника ...213
§ 7.3. Измерение шумовых параметров четырехполюсников на низкой частоте...217
§ 7.4. Измерение коэффициента шума транзисторов на высоких и сверхвысоких частотах...224
Глава VIII. Исследования и контроль тепловых характеристик полупроводниковых приборов...232
§ 8.1. Методы измерения электрических параметров в диапазоне температур ...232
§ 8.2. Методы исследования температуры в активной области прибора ...234
§ 8.3. Измерение теплового сопротивления...237
§ 8.4. Испытания на устойчивость полупроводниковых приборов к температурным воздействиям ...249
Глава IX. Измерение параметров генераторных высокочастотных полупроводниковых приборов...252
§ 9.1. Измерение отдаваемой мощности полупроводниковых приборов, работающих в схеме автогенератора...252
§ 9.2. Измерение отдаваемой мощности, коэффициента усиления и к.п.д. полупроводниковых приборов, работающих в схеме генератора с независимым возбуждением...257
§ 9.3 Измерение параметров структуры и эквивалентной схемы ... 265
Глава X. Испытания полупроводниковых приборов на надежность ... 272
§ 10.1. Виды испытаний на надежность... 272
§ 10.2. Основные понятия надежности... 276
§ 10.3 Распределение отказов во времени. Количественные показатели надежности...297
§ 10.4. Обработка результатов испытаний. Понятие о доверительной интервале ... 300
§ 10.5. Оценка качества продукции на соответствие нормам технических условий. Определение объема выборки
§ 10.6. Классификация отказов. Роль критериев годности в оценке результатов
§ 10.7. Цели и задачи испытаний
Глава XI. Особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования для полупроводниковых приборов ... 305
§ 11.1. Контактодержатель для подключения полупроводниковых приборов к измерительной схеме ... 305
§ 11.2. Защита полупроводниковых приборов от случайных перегрузок ...311
§ 11.3. Методы подавления паразитной генерации испытуемого прибора в схеме измерения... 314
§ 11.4. Основные принципы компоновки измерительных установок...317
Литература... 320
