Монография. М.: Издательство главного управления по использованию атомной энергии при совете министров СССР, 1960. — 304 с.Введение.
Качественное рассмотрение основ теории плоскостных транзисторов.
Качественная физика полупроводника.
Количественные соотношения в физике полупроводников.
Ток в полупроводниках.
Граничные условия в p-n переходе с прямым смещением.
p-n переход с приложенным потенциалом постоянного тока.
Транзистор типа p-n-p.
Влияние внутренней емкости, высокой частоты и обратной связи.
Обобщенное решение для p-n-p транзистора.
Приближенные соотношения для полных диффузионных проводимостей.
Полная эквивалентная схема для малых сигналов переменного тока.
Измененная эквивалентная схема переменного тока, предназначенная для практического применения.
Некоторые изменения в основной теории плоскостного транзистора.
