Препринт. - М.: Институт проблем управления РАН, 1998, 60 с.В работе изложены принципы действия, построения и характеристики тонкопленочных многослойных магниторезистивных (МР) элементов памяти, в том числе новых предложенных анизотропных МР элементов включая разработку технологии и исследование опытных образцов. Приведены результаты теоретического исследования МР запоминающих элементов, основанных на недавно открытом спин-вентильном ("гигантском") магниторезистивном эффекте. Авторами исследованы МР структуры и предложены методы динамического и статического считывания, улучшающие характеристики известных зарубежных элементов.Введение.
Принципы действия тонкопленочных многослойных магниторезистивных элементов.
Запоминающие элементы, основанные на анизотропном магниторезистивном эффекте.
Теоретическое исследование принципов построения запоминающих элементов на основе спин-вентильного магниторезистивного эффекта.
Перспективы применения спин-вентильных запоминающих элементов.
Литература.
Список используемых терминов.
