Н. Новгород: ННГУ, 2011. - 88 с.Зонная структура германия, кремния и арсенида галия
Движение электронов в кристалле в слабых полях
Движение в однородном электрическом поле
Понятие дырки
Мелкие примеси в полупроводниках
Движение в слабом магнитном полеСтатистика электронов и дырок в полупроводниках. Нахождение химического потенциала
Концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне
Концентрация электронов на примесях
Определение положения химического потенциала в полупроводникахРассеяние носителей тока в полупроводниках
Релаксационные характеристики пробной частицы
Рассеяние на длинноволновых фононах
Рассеяние на деформационном потенциале акустических фононов (ДА- рассеяние)
Пьезоакустическое рассеяние (ПА-рассеяние)
Рассеяние на макрополе оптических фононов (ПО - рассеяние)
Рассеяние на деформационном потенциале оптических фононов (ДО-рассеяние)
Рассеяние на междолинных фононах
Электрон-электронное рассеяние (е-е-рассеяние)
Рассеяние на заряженных примесяхЛинейные процессы переноса в полупроводниках
Диффузионно-дрейфовое приближение. Соотношение ЭйнштейнаНеравновесные носители в полупроводниках
Время жизни неравновесных носителей
Уравнение непрерывности
Фотопроводимость
Квазиуровни Ферми
Амбиполярная диффузия и амбиполярный дрейф
Длина дрейфаОптические свойства полупроводников
Механизмы поглощения света в полупроводниках
Поглощение на свободных носителях
Межзонное поглощение света
Экситонные эффекты в поглощении света
Поглощение света в непрямозонных полупроводниках
Эффект Бурштейна-Мосса
Эффект Франца-Келдыша
Примесное поглощение
Решеточное поглощение
Испускание света полупроводниками
