Выходные данные неизвестны. — 16 стр.В настоящее время в электрических сетях России напряжением 110-500 кВ эксплуатируется более 40 управляемых подмагничиванием шунтирующих реакторов (УШР) и география их применения продолжает расширяться, включая в себя Казахстан, Белоруссию, Литву и другие страны. Проекты установки УШР на подстанциях, в том числе в части релейной защиты (РЗ) и автоматики, выполняют, как правило, региональные институты, входившие ранее в объединение «Энергосетьпроект». При этом применяются микропроцессорные терминалы различных производителей, из которых чаще используется продукция фирмы «Сименс» среди зарубежных и НПП «ЭКРА» среди российских.
Основные принципы проектирования РЗ УШР, рекомендуемый состав защит и выбор их параметров срабатывания для трехобмоточных реакторов с подмагничиванием напряжением 110-500 кВ были рассмотрены в ряде статей. В них отмечалось, что основным отличием УШР от трансформаторов является необходимость отдельной защиты каждой обмотки, поскольку при насыщении стержней магнитопровода изменяется потребляемый ток первой гармоники только в сетевой обмотке (СО) реактора. Защита СО УШР выполняется по аналогии с РЗ неуправляемого шунтирующего реактора 500 кВ, включая в себя, как минимум, продольную и поперечную токовые дифференциальные защиты, а также газовую защиту, действующую при всех видах повреждений внутри бака реактора. При этом выбор соответствующих терминалов, их резервирование, конфигурирование и расчет параметров срабатывания (уставок) защит не вызывает затруднений.
Практика проектирования и ввода в эксплуатацию УШР показала, что выбор максимальных токовых защит и их уставок для вторичных обмоток реактора, а также для трансформаторов с преобразователями (ТМП), далеко не всегда оптимален по составу, типам терминалов и параметрам срабатывания, определяющим основные требования чувствительности, селективности и быстродействия. В первую очередь это связано с недостаточным пониманием режимов работы УШР и назначением указанных защит, поэтому представляется необходимым более подробно рассмотреть эти вопросы.
