Воронеж: Из-во ВГУ, 1977. — 228 с.Сборник посвящен физико-химическим исследованиям новых полупроводниковых материалов, изучению кинетики и механизма роста чистых и легированных оксидных пленок на кремнии, использованию материалов в полупроводниковой технике. Определенное внимание уделено изучению процессов термической диссоциации полупроводниковых фаз с летучим компонентом при исследовании диаграмм состояния.
Сборник представляет интерес для научных работников и инженеров, работающих в области полупроводникового материаловедения, для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся по химии твердого тела и химии полупроводников.Угай В.А., Анохин В.Э., Понявина С.С. Влияние дефектов, возникающих при шлифовке кремния, на процесс его термического окисления//
Угай В.А., Черников A.M., Пшестанчик В.Р., Склярова Э.В, Термодинамическая оценка стабильности защитных покрытий на графите//
Яценко Н.Г., Шапошник К.И., Горбачев В.Л. Особенности роста кремниевых слоев при восстановлении SiCl4 в условиях газового легирования//
Тонких Н.Н., Шапошник К.И., Яценко Н.Г. Формирование изолированных монокристаллических областей в матрице из поликристаллического кремния//
Миттова И.Я. Кинетическая модель роста легированных оксидных пленок на кремнии//
Миттова И.Я., Анохин В.З., Лобова В.А. Особенности роста боросиликатных пленок на кремнии//
Юраков Ю.А., Домашевокая Э.П. Твердофазные превращения в поверхностных слоях тонкопленочных структур V-Si и V-SiO2-$i//
Твердохлебова Л.Я. Образование силицидов при твердофазном взаимодействии ряда металлов с кремнием и двуокисью кремния//
Твердохлебова Л.Я., Юраков Ю.А., Свешникова Е.Н. О твердофазном взаимодействии в системах Cr-SiO2, Ni-SiO2//
Шаталов А.Я., Владимирова Л.Н. Аналогия в формально-кинетическом описании роста анодного и термического SiO2//
Владимирова Л.H. К вопросу об источнике кислорода при анодном окислении кремния//
Черпакова Г.В., Гончаров Е.Г., Пшестанчик В.Р. Расчет давления пара в гетерогенной области диаграммы состояния системы сурьма-мышьяк//
Черпакова Г.В., Гончаров Е.Г. Расчет диаграммы состояния системы сурьма-мышьяк//
Зломанов В.П., Новожилов А.Ф., Новоселова А.В., Макаров А.В. Диаграмма состояния системы Pb-Te//
Гладынев Н.Ф. Исследование кинетики процесса диссоциации диарсенида германия//
Илларионов А.А. Исследоваыве системы монофосфид титана-йод тензиметрическим методом//
Миронов К.Е., Васильева И.Г., Брыгалина Г.П. Окисление фосфидов редкоземельных металлов//
Миттова И.Я., Ферт П. Изучение фазовых превращения в системах PbO-SiO2 и Bi2O3-SiO2//
Афиногенов Ю.П., Ларионова Т.Н., Стрыгина И.Я. Тройная взаимная система вытеснения InCl3+3Tl=3TlCl+In//
Атанов А.Н., Аветисов Ю.P. Установка для измерения давления пара//
Косяков В.И., Васильева И.Г. О связи между строением и свойствами полифосфидов//
Яковлев И.И., Косяков В.И., Гуков О.Я. Фосфиды щелочных металлов//
Прокин А.Н. Полупроводниковые свойства синтетического пирита//
Маршакова Т.А., Волчанская В.Е. Исследование термодинамических свойств полупроводниковых фаз в системе Zn-Sb//
Мирошниченко С.Н., Прокуратова Л.П. Оценка энтальпии плавления некоторых полупроводниковых материалов//
Соловьев Н.Е., Шелухин В.Н. О природе аномалии свойств бора вблизи 300 С//
Гукова Ю.Я., Гуков О.Я. Галогениды фосфора//
Семенов В.Н., Бахтин А.Я. Получение пульверизацией пленок сульфидов олова и их свойства//
Дынник А.П., Семенов В.Н., Авербах Е.М. О возможности получения пленок SnS и SnS2 электрохимическим методом//
Дынник А.П., Авербах Е.М. Электрохимическое получение пленок сульфида цинка//
Глотова Л.И. Спектрофотометрический количественный анализ сплавов, содержащих кремний, германии, фосфор, мышьяк//
