Мн.: Навука і тэхніка, 1995. − 262 с.
В монографии рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти (МП). Описаны математические модели распределения статистически независимых и группирующихся дефектных и отказавших элементов на кристаллах МП, построенные на базе обширных статистических данных о характере и причинах возникновения неисправностей. Изложена методика прогнозирующего расчета выхода годных и надежности избыточных МП. Предложены методы построения и схемотехнические решения устройств нейтрализации ошибок, основанные на резервировании корректирующих кодов.
Предназначена для научно-технических работников, специализирующихся в области создания полупроводниковой памяти. Может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам старших курсов вузов соответствующих специальностей.
