М.: Радио и связь, 1989. – 144 с. –- ISBN 5-256-00254-6.Рассматриваются радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах, возможные нарушения работоспособности, виды и механизмы отказов. Анализируются схемотехнические и конструктивно-технологические аспекты повышения радиационной стойкости цифровых микросхем и радиоэлектронной аппаратуры. Обобщаются результаты исследований воздействия излучений на микросхемы.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры.Оглавление
Предисловие
Физические процессы в интегральных микросхемах при воздействии ионизирующих излучений
Характеристики радиационных сред и эффектов
Количественные характеристики процессов взаимодействия излучений с веществом
Эффективность корпускулярных и квантовых ионизирующих излучений
Ионизационные эффекты
Эффекты смещения
Анализ и классификация прикладных задач
Эффекты непрерывного облучения в каскадах аналоговых микросхем
Радиационные эффекты в нелинейных каскадах аналоговых микросхем
Режимно-функциональные модели аналоговых микросхем
Расчеты стойкости аналоговых микросхем
Ионизационные переходные эффекты в биполярных аналоговых микросхемах
Амплитудные характеристики импульсных ионизационных реакций аналоговых микросхем
Временные характеристики импульсных ионизационных реакций аналоговых микросхем
Факторно-ситуационный анализ процессов формирования импульсных ионизационных реакций аналоговых микросхем
Расчет импульсной ионизационной реакции цифро-аналогового преобразователя
Ионизационные эффекты в цифровых микросхемах
Особенности ионизационных эффектов в цифровых микросхемах
Схемотехнические методы повышения стойкости цифровых микросхем
Радиационные сбои в триггерных структурах
