В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в р—n-переходе и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник, так и радиационными дефектами. Емкостные методы, описанные в книге, основаны на единой теории и единой методике обработки результатов измерений. В начале каждой главы выводятся расчетные формулы, а затем приводятся примеры использования емкостных методов, взятые из различных областей полупроводниковой электроники.
Author(s): Берман Л.С.
Publisher: Издательство «Наука»
Year: 1972
Language: Russian
Pages: 104
City: Ленинград
Введение 3
Глава I.
Определение концентрации примесей и электрического поля в p—n-переходе 5
§ 1. Основные уравнения для расчета барьерной емкости и электрического поля 5
§ 2. Определение концентрации примесей в p—n-переходе 10
§ 3. Определение электрического поля в p—n-переходе 26
Глава II.
Исследование сопротивлений, неоднородных по толщине 30
§ 1. Основные уравнения для исследования неоднородных по толщине сопротивлений 30
§ 2. Примеры исследования неоднородных по толщине сопротивлений методом линейных диаграмм 40
Глава III.
Исследование глубоких примесных уровней 46
§ 1. Понятие о влиянии глубоких примесных уровней на свойства барьерной емкости 46
§ 2. Основные уравнения для расчета заполнения глубоких примесных уровней 54
§ 3. Барьерная емкость резкого p+—n-перехода с глубокими примесями 64
§ 4. Примеры исследования глубоких примесных уровней 76
Заключение 95
Приложение. Измерение малых изменений барьерной емкости 96
Литература 99
