К.: "Наукова думка", 1992.- 240 с.В монографии изложены результаты исследований открытого сотрудниками Института полупроводников АН Украины явления стимулированного излучением проникновения металла в полупроводники (Photodoping). Впервые обобщен экспериментальный материал, касающийся природы явления и технологических особенностей его практического применения. Рассмотрены физические процессы, происходящие в тонкопленочных системах полупроводник — металл при их облучении. Основное внимание уделено системам халькогепндные стеклообразные полупроводники — серебро, на основе которых созданы высокоразрешающие регистрирующие среды. Приведены примеры практического применения таких сред для производства опто-технических изделий, в качестве неорганического резиста для оптической электронной, ионной и рентгеновской литографии, для записи информации и др.
Для научных работников и инженеров, занимающихся изучением радиационно-стимулированной диффузии в неупорядоченных твердых телах, созданием и применением регистрирующих сред.
