Л.: Наука, 1978. — 208 с.
В монографии излагаются физические основы процессов диффузии и дефектообразовання в полупроводниковых эпитаксиальных гетеро- и гомоструктурах. Рассматриваются особенности диффузионного легирования эпитаксиальных структур, связанные с взаимодействием примесных атомов с дефектами кристаллической решетки, полями упругих напряжений и контактными электрическими полями. Приведен математический анализ диффузионной задачи применительно к эпитаксиальным структурам. Систематизированы и обобщены результаты экспериментальных исследований дефектообразования и диффузии примесей в эпитаксиальных гетеро- и гомоструктурах на основе германия, кремния, полупроводниковых соединений А3В5 и их твердых растворов, а также соединений А'3В6. Описаны методы исследования концентрационных профилей примесей в таких структурах. Рассмотрена роль процессов образования дефектов, миграции и взаимодействия примесей и дефектов в явлении деградации инжекционных приборов (светодиодов и гетеролазеров) на основе эпитаксиальных структур. Обсуждаются результаты экспериментальных работ по этому вопросу.
