Москва, «Металлургия», 1976, 368 с. с ил.
Описаны методы управления составом в объемных монокристаллах полупроводников. Рассмотрены единые физико-химические основы методов управления составом. Описаны не только классические приемы полупроводниковой технологии (очистка, выравнивание), но и новые методики, вошедшие в практику в последние годы. Подробно рассмотрены различные примесные и структурные дефекты, имеющиеся в реальных кристаллах, и причины их возникновения. Большое внимание уделено описанию недавно открытых эффектов, имеющих важное значение для понимания процессов роста (взаимодействие примесей при росте, устойчивость фронтов роста и т. д.). Изложены методы программированного управления составом кристаллов.
Рассчитана на широкий круг инженеров и ученых, специализирующихся в области получения полупроводниковых кристаллов и приборов. Может быть полезна аспирантам и студентам старших курсов полупроводниковых факультетов.
