Интернет-ресурс Российская Академия наук, 2012. - 19 с.За цикл работ, выполненных по теме данного исследования Химическая самосборка кристаллической поверхности: новый метод направленной нуклеации эпитаксиальных пленок, научному руководителю Кукушкину С.А. была присуждена премия Президиума РАН за 2010 год им. П.А. Ребиндера.
В данной работе описан открытый новый механизм релаксации упругой энергии за счет образования дилатационных диполей. Открытие данного механизма позволило впервые вырастить светодиодную эпитаксиальную структуру на кремниевой подложке и сделать работающий лабораторный макет светодиода. Использование данного механизма позволяет получать гетероэпитаксиальные пленки широкозонных полупроводников (таких как SiC, AlN, GaN, AlGaN) на кремнии без дислокаций несоответствия и трещин и с качеством, достаточным для изготовления многих приборов микро- и оптоэлектроники.
