Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наносистем

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов. - М.: МИЭТ, 2011, 56 с.
Рассмотрены особенности формирования пористого анодного оксида алюминия, а также особенности формирования полупроводниковых соединений катодным осаждением в матрицу пористого анодного оксида алюминия. Приведен пример расчета и построения диаграммы Пурбэ.
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, соответствующей тематическому направлению деятельности ННС Наноэлектроника.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям 210100 Электроника и наноэлектроника и 150100 Материаловедение и технология материалов.

Author(s): Гаврилов С.А., Белов А.Н.

Language: Russian
Commentary: 1018294
Tags: Специальные дисциплины;Наноматериалы и нанотехнологии;Наноэлектроника