Издание 2-е, исправленное
Москва: Техносфера, 2011. - 800 с., ISBN 978-5-94836-289-2В книге рассмотрены особенности работы субмикронных
МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов
масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам
и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей
МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных
слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в
субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и
долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии
технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов
плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса
изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень
выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и
разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших
курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.Скан 600 dpi + OCR
