Aide-mémoire Electronique des semiconducteurs Propriétés des matériaux Partie 2

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SECTION 2 Les composés semi conducteurs AIII BV
II. 1. Structure cristailline des composés AlllBV
11.2. Les défauts do la structure cristalline
11.3. Les propriétés de surface et le caractère polaire du réseau de la blende
11.4. Les états de surface
II.%. Les liaisons chimiques dansles composés Al11BV
ll.6. La structure de bande des composés AIIIBV
II. 7. Les propriétés optiquesdes composés A111BV
II.8. La luminescence : photo et électroluminescence
II.9. Les effets de transport
II.10. Les impuretés de dopage
II11. Propriétés thermodynamiques
II.12. Les processus de diffusion
II. 13. Les traitementa thermiques et les effets d'irradiation
11.14. La susceptibilité magnétique des semiconducteurs AIIIBV
JI.15. les constantes étasdques et les coefficients de dilation thermique
II.l6. Les solutions solides entrecomposés A111BV
II.17. L'utilisation de composés binaires A111BV en électronique des semiconducteurs
SECTION 3 Les composés AII BV.
lll.1. Structure cristalline cl nature des liaisons chimiques dans les composés d'éléments des groupes II et V
III.2. Les phases vitreuses des composés A11BV
III.3. Propriétés électriques et optiquesdes composés A~• B~
III.4. Propriétés électriques et optiquesde composés AHB~
III.5. Luminescence des composés CdP2 , ZnP 2
III.6. L'autoémission électronique des composés AHBV
SECTION IV Les composés AII BVI
IV. 1. Quelques propriétés des constituants élémentaires des composés AHBVI
IV.2. Principales propriétés physiqueset physico-chimiques des composés AIIBVI
IV.3. Les diagrammes de phasede systèmes AII-BVI
IV.4. La structure cristallinedes composés AHBV1
IV.5. Les phases haute pression des composés AIIBVI
IV.6. Liaisons chimiques dans les cristaux des composés AJIBVI
IV.7. Les défauts de structure des cristaux
IV.8. Association de défauts, défauts d'irradiation et résistance aux radiations des composés AHBVI
IV.10. Les propriétés thermiques des composés AIIBVI
IV.11. Diffusion et solubilité
IV.12. Structures de bande des composés AIIBVJ
IV.13. Les propriétés optiques
IV.14. Recombinaison radiative près du front d'absorption
SECTIO~ V Les composés semiconducteursternaires
V.1. Composés semiconducteurs ternaireshomologues des composés AIIIBV
V.2. Structure cristalline et principales propriétés physiques et pbysico-chimiques des composés AIIB•vc:
V.3. Structures de bande de quelques composés A11B1
V.4. Propriétés physiques de quelquescomposés A11 Btvc,r
V.5. Sur certains paramètres des centres de recombinaison et de piégeage
V.6. Les spectres d'électroréflexion
V. 7. Les spectres d • électroréflexion des cristaux de CdSnP 2 et CdSnAs2
V.8. Les compos& A1B111Cfi
V. 9. Potentialités d'utilisation des composés ternaires en électronique des semiconducteurs
BIBLIOGRAPHIE
Appendices
Index
Table des matières