Учебное пособие. - СПб. гос. техн. ун-т. C.-Петербург, 1994. - 80 с.Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл - диэлектрик (переходы Мотта и Андерсона), локализованные состояния в слабо легированных полупроводниках, включая сильно компенсированные, а также термодинамика точечных дефектов.
Предназначено для студентов старших курсов физических специальностей радиофизического и физико-технического факультетов; а также может быть рекомендовано аспирантам и исследователям, работающим в области физики и техники полупроводников, для углубленного изучения предмета.Оглавление:
Основные понятия теории протекания
Порог протекания и бесконечный кластер
Задача сфер
Уровень протекания
Структура бесконечного кластера
Переход Мотта
Переход металл - диэлектрик в регулярной решетке
Металлизация в неупорядоченной системе доноров
Магнитное вымораживание
Модели Андерсона и Лифшица
Модель Андерсона
Рассеяние делокализованных электронов и андерсоновская локализация
Резонанс локализованных состояний в модели Андерсона
Модель Лифшица
Примесная зона слабо легированных полупрводников
Прыжковая проводимость
Вероятность прыжка и модель сетки сопротивлений Миллера - Абрахамса
Зависимость прыжковой проводимости от концентрации примеси и магнитного поля
Температурная зависимость прыжковой проводимости
Кулоновская щель
Щель в плотности локализованных состояний
Парные возбухсдения и электронные поляроны
Сильно легированные полупроводники
Крупномасштабный хаотический потенциал
Плотность электронных состояний
Сильно компенсированные полупроводники
Полностью компенсированные полупроводники
Край собственного поглощения света
Термодинамика дефектов
Энтропия я концентрация вакансий
Самокомпенсация электроактивной примеси собственными дефектами
