М., Физматгиз, 1963, - 264 с.В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением кристалла в исходное равновесное состояние. В отдельной главе содержатся данные об излучательной рекомбинации в полупроводниках.
Приведены основы теории возникновения структурных дефектов в полупроводниках под действием жесткой радиации и экспериментальные данные об изменениях физических свойств полупроводников, обусловленных такими дефектами.
Книга предназначается для научных сотрудников, занимающихся физикой полупроводников и близкими к ней вопросами физики твердого тела, для читателей, работающих в области практического использования полупроводников в инфракрасной технике, энергетике и экспериментальной ядерной физике, а также для студентов старших курсов соответствующих специальностей.
