Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып.
16. - 6 с.
Проведено измерение высоты барьера Шоттки на монокристаллах, легированных галогенами Cl, Br, J в процессе выращивания методом химических транспортных реакций, посредством предлагаемой модификации авторами F(V)-функции.

Author(s): Украинец В.О., Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Рудь Ю.В., Иванов-Омский В.И.

Language: Russian
Commentary: 1451103
Tags: Приборостроение;Полупроводниковые приборы;Полупроводниковые диоды