Учебное пособие. – Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. ун-та, 2010. – 219 с.Рассмотрены основные аспекты возникновения и развития микроэлек-троники. Даётся представление об уровне современной микроэлектроники, её методах, средствах, проблемах и перспективах. Обосновывается выбор мате-риалов и конструкций тонкоплёночных, толстоплёночных, гибридных и полу-проводниковых интегральных микросхем. Рассмотрены методы проектирова-ния и расчёта конструктивных параметров элементов с учётом их электриче-ских, технологических и эксплуатационных характеристик; основное внима-ние уделено вероятностному методу расчёта. Материал курса представлен в виде модулей, заканчивающихся контрольными вопросами.
Рекомендуется студентам радиотехнического факультета по направле-нию 211000 – «Проектирование и технология электронных средств» для под-готовки бакалавров и магистров на дневном и заочном отделении по курсу «Конструирование интегральных микросхем».Содержание.
Введение.
Эволюция в проектировании РЭС.
Основные этапы микроминиатюризации РЭС.
Основные задачи микроэлектроники.
Основные трудности микроминиатюризации.
Контрольные вопросы.
Гибридные интегральные микросхемы.
Общие сведения о гибридных интегральных микросхемах.
Конструктивно-технологические особенности техпроцессов, используемых при изготовлении ГИМС.
Возможности дальнейшей микроминиатюризации РЭС.
Контрольные вопросы.
Конструирование гибридных интегральных микросхем.
Подложки для ИМС.
Материалы для получения тонких пленок.
Конструирование и расчет тонкопленочных резисторов (ТПР).
Конструирование и расчет тонкопленочных конденсаторов (ТПК).
Конструирование и расчет пленочных катушек индуктивности.
Контрольные вопросы.
Разработка ГИС и оформление конструкторской и технологической документации.
Проектирование топологии и конструкции ГИМС.
Разработка конструкторской документации на ГИМС.
Разработка технологической документации на ГИМС.
Классификация микросхем.
Контрольные вопросы.
RC-цепи распределенными параметрами.
Контрольные вопросы.
Конструирование и расчет полупроводниковых ИМС.
Контрольные вопросы.
Особенности конструкций ГИС СВЧ.
Контрольные вопросы.
Тепловые режимы ГИС.
Контрольные вопросы.
Надёжность микроэлектронной аппаратуры.
Контрольные вопросы.
Перспективы развития микроэлектроники.
Заключение.
Список рекомендуемой литературы.
Приложения.
